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碳化硅中化学成分和杂质含量的分析

碳化硅含量的测定综述 - 豆丁网

Web 结果2011年3月22日 2化学分析方法2．1碳化硅原料中SiC含量的测定2．1．1简单化学分析方法将试样灰化除碳，加入硝酸、硫酸、氢氟酸，使之与试样中的硅、二氧化硅反碳化硅含量的测定综述 - 豆丁网Web 结果2011年3月22日 2化学分析方法2．1碳化硅原料中SiC含量的测定2．1．1简单化学分析方法将试样灰化除碳，加入硝酸、硫酸、氢氟酸，使之与试样中的硅、二氧化硅反

国家标准GB/T 14849.4-2014

Web 结果2014年12月5日标准号：GB/T 14849.4-2014. 中文标准名称：工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法. 英文标准名国家标准GB/T 14849.4-2014Web 结果2014年12月5日标准号：GB/T 14849.4-2014. 中文标准名称：工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法. 英文标准名

T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓度及分布的二 ...

Web 结果2019年10月10日本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、 T/CASA 009《半绝缘 SiC 材料中痕量杂质浓度及分布的二 ...Web 结果2019年10月10日本标准界定了碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法相关的术语、定义和测试方法，适用于半导体碳化硅材料中痕量杂质（铝、

碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...

Web 结果2021年11月17日实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以碳化硅中主要杂质元素的存在形式,Ceramics International ...Web 结果2021年11月17日实验结果表明，Acheson法制备的SiC粉体中O、游离Si、游离C、Fe杂质含量较高，其他微量杂质元素含量顺序为：Ti>Al>Ni> V.此外，O杂质主要以

LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网

Web 结果2018年11月18日 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素. 2018.11.18. 1引言. 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网Web 结果2018年11月18日 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素. 2018.11.18. 1引言. 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良

碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术

Web 结果碳化硅中杂质元素氮的测定. 碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术Web 结果碳化硅中杂质元素氮的测定. 碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用

碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解 ...

Web 结果2023年10月27日研究结果表明通过控制碳粉和硅粉中的杂质含量可以将 B、Fe、Al、Cu、P 等杂质控制在 1 × 10 － 6以下，合成的高纯 SiC 粉体纯度高达 99． 999% 碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解 ...Web 结果2023年10月27日研究结果表明通过控制碳粉和硅粉中的杂质含量可以将 B、Fe、Al、Cu、P 等杂质控制在 1 × 10 － 6以下，合成的高纯 SiC 粉体纯度高达 99． 999%

碳化硅中杂质标准-分析测试百科网

Web 结果2024年2月2日在中国标准分类中，碳化硅中杂质涉及到半金属及半导体材料分析方法、、陶瓷、玻璃综合。丹麦标准化协会，关于碳化硅中杂质的标准. DS/EN 碳化硅中杂质标准-分析测试百科网Web 结果2024年2月2日在中国标准分类中，碳化硅中杂质涉及到半金属及半导体材料分析方法、、陶瓷、玻璃综合。丹麦标准化协会，关于碳化硅中杂质的标准. DS/EN

LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网

Web 结果2018年11月18日 1引言碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网Web 结果2018年11月18日 1引言碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料的性能有很大影响[1]，因此测定碳化硅中微量元素对控制其质量具有重要意

国家标准《硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法》编制说

Web 结果2021年10月8日 3.1 起草阶段. 本标准的制定工作由中国电子科技集团公司第四十六研究所承担。. 《硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法》项目正式立项后,起草单位即组织成立了标准起草工作组,讨论并形成了制定工作计划及任务分工。. 2020 年9月,起草工作组完成国家标准 ... 国家标准《硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法》编制说 Web 结果2021年10月8日 3.1 起草阶段. 本标准的制定工作由中国电子科技集团公司第四十六研究所承担。. 《硅单晶中氮含量的测定二次离子质谱法》项目正式立项后,起草单位即组织成立了标准起草工作组,讨论并形成了制定工作计划及任务分工。. 2020 年9月,起草工作组完成国家标准 ...

碳化硅晶体中硼含量的SIMS定量分析方法研究-不知不识网

Web 结果2023年7月17日摘要：采用SIMS相对灵敏度因子法，对碳化硅中硼含量的定量分析方法进行了系统的研究。. 通过对离子注入的参考样品进行SIMS深度剖析测得RSF值，实现了碳化硅中硼杂质含量的精确定量检测。. 碳化硅中硼的检测限可达到1e14atoms/cm3。. 关键词：碳化硅；二次离子 ... 碳化硅晶体中硼含量的SIMS定量分析方法研究-不知不识网Web 结果2023年7月17日摘要：采用SIMS相对灵敏度因子法，对碳化硅中硼含量的定量分析方法进行了系统的研究。. 通过对离子注入的参考样品进行SIMS深度剖析测得RSF值，实现了碳化硅中硼杂质含量的精确定量检测。. 碳化硅中硼的检测限可达到1e14atoms/cm3。. 关键词：碳化硅；二次离子 ...

碳化硅_百度百科

Web 结果2023年5月4日碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ... 碳化硅_百度百科Web 结果2023年5月4日碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 ...

碳化硅中游离碳含量 - 百度文库

Web 结果碳化硅中游离碳含量受多种因素影响，主要包括：原料的含碳量、灼烧温度和时间、冷却速度等。. 此外，碳化硅的物理和化学性质也会影响游离碳含量。. 综上所述，碳化硅中游离碳含量的测定方法为灼烧法，其含量影响因素多样。. 碳化硅中游离碳的含量测定 ... 碳化硅中游离碳含量 - 百度文库Web 结果碳化硅中游离碳含量受多种因素影响，主要包括：原料的含碳量、灼烧温度和时间、冷却速度等。. 此外，碳化硅的物理和化学性质也会影响游离碳含量。. 综上所述，碳化硅中游离碳含量的测定方法为灼烧法，其含量影响因素多样。. 碳化硅中游离碳的含量测定 ...

碳化硅中杂质标准-分析测试百科网

Web 结果2024年2月2日德国标准化学会，关于碳化硅中杂质的标准. DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试.用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率. DIN EN 15979:2011-04 陶瓷原材料和基础材料的检测直流电弧激励OES直接测定碳化硅 ... 碳化硅中杂质标准-分析测试百科网Web 结果2024年2月2日德国标准化学会，关于碳化硅中杂质的标准. DIN 51088:2007 陶瓷原料和基本材料的测试.用发射光谱测定分析和直流电弧中的激励测定碳化硅粉末和颗粒碳化硅中金属微量杂质的质量分率. DIN EN 15979:2011-04 陶瓷原材料和基础材料的检测直流电弧激励OES直接测定碳化硅 ...

碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术

Web 结果碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为铵态氮.消解后的溶液,碱化蒸馏出的氨被硼酸吸收.用标准盐酸溶液滴定,根据标准盐酸溶液碳化硅中杂质元素氮的测定 - 百度学术Web 结果碳化硅是一种重要的化工原料,应用广泛,氮是其半绝缘性能的直接判定依据,目前尚无相关检测标准.碳化硅中的氮在浓硫酸和混合催化剂的作用下,经氧化还原反应全部转化为铵态氮.消解后的溶液,碱化蒸馏出的氨被硼酸吸收.用标准盐酸溶液滴定,根据标准盐酸溶液

碳化硅化学成分分析 - 豆丁网

Web 结果2019年3月13日碳化硅化学成分分析.doc. 碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定的操作步骤：1、试样的制备：取有代表性的样品10g左右，置102的烘箱中，烘半小时，取出放入干燥器内冷却备用。. 2、清洗烘干铂皿。. 将铂皿浸入盛有蒸馏水的烧杯中，于低温炉中煮沸10-20 ... 碳化硅化学成分分析 - 豆丁网Web 结果2019年3月13日碳化硅化学成分分析.doc. 碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定的操作步骤：1、试样的制备：取有代表性的样品10g左右，置102的烘箱中，烘半小时，取出放入干燥器内冷却备用。. 2、清洗烘干铂皿。. 将铂皿浸入盛有蒸馏水的烧杯中，于低温炉中煮沸10-20 ...

碳化硅磨料的化学成分-普通磨料知识-爱锐网 - iabrasive.cn

Web 结果2016年9月21日碳化硅磨料的化学成分随磨料粒度的变化略有波动。粒度愈细，纯度愈低。我国磨料工业上，规定碳化硅成分的标准分析方法是酸萃法，即采用混合酸液（HNO3，H2SO4，HF）对试样加热处理，使颗粒表面的杂质溶解，残渣经灼烧后视为碳化硅含量，此法又称为表面分析法。碳化硅磨料的化学成分-普通磨料知识-爱锐网 - iabrasive.cnWeb 结果2016年9月21日碳化硅磨料的化学成分随磨料粒度的变化略有波动。粒度愈细，纯度愈低。我国磨料工业上，规定碳化硅成分的标准分析方法是酸萃法，即采用混合酸液（HNO3，H2SO4，HF）对试样加热处理，使颗粒表面的杂质溶解，残渣经灼烧后视为碳化硅含量，此法又称为表面分析法。

红外碳硫分析仪测定耐火材料中碳化硅的含量_百度文库

Web 结果由表1可知，两种方法测定结果相一致，红外碳硫分析法的准确度和精密度均满足化学分析要求。 (1)采用红外碳硫分析仪测定含碳化硅耐火材料中碳化硅含量的方法是可行的，与传统的化学分析方法相比具有快速的优点，其准确度和精密度满足标准要求。红外碳硫分析仪测定耐火材料中碳化硅的含量_百度文库Web 结果由表1可知，两种方法测定结果相一致，红外碳硫分析法的准确度和精密度均满足化学分析要求。 (1)采用红外碳硫分析仪测定含碳化硅耐火材料中碳化硅含量的方法是可行的，与传统的化学分析方法相比具有快速的优点，其准确度和精密度满足标准要求。

碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术的详解； - 知乎

Web 结果2024年1月26日半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术的详解； - 知乎Web 结果2024年1月26日半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳

碳化硅纤维中碳与氧含量的分析 - 豆丁网

Web 结果2015年3月9日碳化硅纤维中碳与氧含量的分析. 系统标签：. 碳化硅纤维含量 nicaion sic siiicon. VOI.31，NO.CHNESECERAMCSCETYApr（国防科技大学，陶瓷纤维及其复合材料重点实验室，长沙410073）要：利用FOurier变换红外光谱、原子吸收及元素分析等方法，对碳化硅纤维中的C，Si，的含量 ... 碳化硅纤维中碳与氧含量的分析 - 豆丁网Web 结果2015年3月9日碳化硅纤维中碳与氧含量的分析. 系统标签：. 碳化硅纤维含量 nicaion sic siiicon. VOI.31，NO.CHNESECERAMCSCETYApr（国防科技大学，陶瓷纤维及其复合材料重点实验室，长沙410073）要：利用FOurier变换红外光谱、原子吸收及元素分析等方法，对碳化硅纤维中的C，Si，的含量 ...

碳化硅中化学成分和杂质含量的分析

Web 结果2011年3月22日碳化硅中化学成分和杂质含量的分析 2021-08-12T21:08:59+00:00 碳化硅含量的测定综述豆丁网 2011年3月22日 2化学分析方法2．1碳化硅原料中SiC含量的测定2．1．1简单化学分析方法将试样灰化除碳，加入硝酸、硫酸、氢氟酸，使之与试样中的硅、二氧化硅反应生成四碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定 ... 碳化硅中化学成分和杂质含量的分析Web 结果2011年3月22日碳化硅中化学成分和杂质含量的分析 2021-08-12T21:08:59+00:00 碳化硅含量的测定综述豆丁网 2011年3月22日 2化学分析方法2．1碳化硅原料中SiC含量的测定2．1．1简单化学分析方法将试样灰化除碳，加入硝酸、硫酸、氢氟酸，使之与试样中的硅、二氧化硅反应生成四碳化硅化学成分分析一、碳化硅含量测定 ...

国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子 ...

Web 结果2020年9月24日国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法-编制说明.doc,PAGE 2 国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况 1.立项目的和意义碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场 ... 国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子 ...Web 结果2020年9月24日国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法-编制说明.doc,PAGE 2 国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况 1.立项目的和意义碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场 ...

T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及 ...

Web 结果2023年12月25日 T/CASAS 009-2019 中可能用到的仪器设备. 半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。. 二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。. T/CASAS 009-2019 半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及 ...Web 结果2023年12月25日 T/CASAS 009-2019 中可能用到的仪器设备. 半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。. 二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。.

碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解 ...

Web 结果2023年10月27日研究结果表明通过控制碳粉和硅粉中的杂质含量可以将 B、Fe、Al、Cu、P 等杂质控制在 1 × 10 － 6以下，合成的高纯 SiC 粉体纯度高达 99． 999% 。在众多杂质中，N 元素的含量一直居高不下，只有较少的课题组对制备 N 含量低的高纯 SiC 粉体进行了研究。碳化硅（SIC）单晶生长用高纯碳化硅（SIC）粉体的详解 ...Web 结果2023年10月27日研究结果表明通过控制碳粉和硅粉中的杂质含量可以将 B、Fe、Al、Cu、P 等杂质控制在 1 × 10 － 6以下，合成的高纯 SiC 粉体纯度高达 99． 999% 。在众多杂质中，N 元素的含量一直居高不下，只有较少的课题组对制备 N 含量低的高纯 SiC 粉体进行了研究。

行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电 ...

Web 结果2020年11月21日行业资料 -- 国内外标准规范. 行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》（讨论稿）编制说明工作简况1.立项目的及意义碳化硅具有宽的禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力、高电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗 ... 行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电 ...Web 结果2020年11月21日行业资料 -- 国内外标准规范. 行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》（讨论稿）编制说明工作简况1.立项目的及意义碳化硅具有宽的禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力、高电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗 ...

碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法编制说明

Web 结果2022年5月20日 TCASME-半导体激光治疗仪故障诊断及维护规范. 行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》（送审稿）编制说明一工作简况1.立项目的及意义碳化硅具有宽的禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力、高电子饱和速率等特点，适用 ... 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法编制说明Web 结果2022年5月20日 TCASME-半导体激光治疗仪故障诊断及维护规范. 行业标准《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法》（送审稿）编制说明一工作简况1.立项目的及意义碳化硅具有宽的禁带宽度、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力、高电子饱和速率等特点，适用 ...

工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定 ICP-AES ...

Web 结果2013年4月10日昆明冶金研究院接受任务后，成立了《工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法》国家标准编制组。. 编制组根据国内多家工业硅检测机构以及工业硅厂家的电感耦合等离子体原子发射光谱法测定杂质元素情况，结合 ... 工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定 ICP-AES ...Web 结果2013年4月10日昆明冶金研究院接受任务后，成立了《工业硅化学分析方法第4部分：杂质元素含量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法》国家标准编制组。. 编制组根据国内多家工业硅检测机构以及工业硅厂家的电感耦合等离子体原子发射光谱法测定杂质元素情况，结合 ...

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